產(chǎn)品型號(hào)
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產(chǎn)品分類
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v 芯片領(lǐng)域應(yīng)用：IC芯片電路修改，Cross-Section 截面分析，FIB透射電鏡樣品制備，材料鑒定
v 液態(tài)金屬離子源：分辨率3nm@30kv 120nm@1kv
v 檢測(cè)器：Inlens SE、Inlens EsB、VPSE(可變氣壓二次電子探測(cè)器)、SESI（二次電子二次離子探測(cè)器）、aSTEM（掃描透射電子探測(cè)器）、aBSD（背散射探測(cè)器）
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